SSD Intel 670p 1TB SSDPEKNU010TZX1
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2500 МБайт/с
SSD Intel 660p 2TB SSDPEKNW020T801
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 МБайт/с, случайный доступ: 220000/220000 IOps
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (5)
Технические характеристики
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок: | 2018 г. |
| Основные | |
| Объём: | 2 ТБ |
| Форм-фактор: | M.2 |
| Интерфейс: | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash: | 3D QLC NAND |
| Контроллер: | Silicon Motion SM2263 |
| Размеры устройств M.2: | 2280 |
| Ресурс записи: | 400 TBW |
| Технические характеристики | |
| Охлаждение: | Нет |
| Время наработки на отказ (МТBF): | 1 600 000 ч |
| Энергопотребление (ожидание): | 0.04 Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись): | 0.1 Вт |
| Средняя скорость случайной записи: | 220 000 IOps |
| Средняя скорость случайного чтения: | 220 000 IOps |
| Скорость последовательной записи: | 1 800 Мбайт/с |
| Скорость последовательного чтения: | 1 800 Мбайт/с |
| Аппаратное шифрование: | Да AES 256bit |
Похожие товары
SSD Intel 660p 1TB SSDPEKNW010T8X1
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 МБайт/с, случайный доступ: 150000/220000 IOps
SSD Intel 660p 2TB SSDPEKNW020T8X1
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 МБайт/с, случайный доступ: 220000/220000 IOps
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8X1
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps