SSD Intel 660p 1TB SSDPEKNW010T8X1

SSD Intel 660p 1TB SSDPEKNW010T8X1

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 МБайт/с, случайный доступ: 150000/220000 IOps

Оценка: 4 / 5

Технические характеристики

Общая информация
Дата выхода на рынок: 2018 г.
Основные
Объём: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND
Контроллер: Silicon Motion SM2263
Размеры устройств M.2: 2280
Технические характеристики
Аппаратное шифрование: Да AES 256bit
Скорость последовательного чтения: 1 800 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: 1 800 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения: 150 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 220 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись): 0.1 Вт
Энергопотребление (ожидание): 0.04 Вт
Время наработки на отказ (МТBF): 1 600 000 ч
Охлаждение: Нет

Похожие товары

SSD Intel 670p 1TB SSDPEKNU010TZX1
SSD Intel 670p 1TB SSDPEKNU010TZX1 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2500 МБайт/с
SSD Intel 660p 2TB SSDPEKNW020T8X1
SSD Intel 660p 2TB SSDPEKNW020T8X1 2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 МБайт/с, случайный доступ: 220000/220000 IOps
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8X1
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8X1 512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8
SSD Intel 660p 512GB SSDPEKNW512G8 512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
SSD Intel 540s Series 180GB SSDSCKKW180H6X1
SSD Intel 540s Series 180GB SSDSCKKW180H6X1 180 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 560/475 МБайт/с, случайный доступ: 71000/85000 IOps