Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (1)
Технические характеристики
| Общая информация | |
|---|---|
| Описание: | ✅ Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK - это набор из одного модуля памяти с общим объемом 32 ГБ. ✅ Тип памяти - DDR5 SO-DIMM, что обеспечивает высокую производительность и быструю передачу данных. ✅ Отсутствие поддержки ECC делает эту память идеальным выбором для различных вычислительных задач. ✅ С частотой 4800 МГц и PC-индексом PC5-38400, эта память обеспечивает быструю работу системы и плавную загрузку приложений. ✅ Напряжение питания 1.1 В обеспечивает эффективное энергопотребление, что положительно сказывается на работе устройства. ⚠️ Количество ранков - 2, что может ограничить совместимость с определенными системами. ✅ Охлаждение и низкопрофильный модуль отсутствуют, что делает эту память компактной и удобной в установке. ✅ Цвет зеленый, что придаст вашей системе стильный и современный вид. |
| Конструкция | |
| Цвет: | зеленый |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Охлаждение: | Нет |
| Основные | |
| Набор: | 1 модуль |
| Напряжение питания: | 1.1 В |
| CAS Latency: | 40T |
| PC-индекс: | PC5-38400 |
| Частота: | 4800 МГц |
| ECC: | Нет |
| Тип: | DDR5 SO-DIMM |
| Общий объем: | 32 ГБ |
| Технические характеристики | |
| Количество ранков: | 2 |
| Ёмкость микросхем: | 16 Гбит |
| Тип микросхем: | 2Gx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
| Профили AMD EXPO: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В