Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (1)
Технические характеристики
| Общая информация | |
|---|---|
| Описание: | ❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта. ✅ Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SO-DIMM — это идеальное решение для повышения производительности вашего ноутбука или компактного ПК. С частотой 5600 МГц и современным стандартом DDR5, она обеспечит быструю и стабильную работу ваших приложений. ✅ Модуль имеет один ранг и использует микросхемы типа 1Gx16, что гарантирует оптимальное распределение нагрузки и высокую скорость передачи данных. Это особенно важно для многозадачности и работы с ресурсоемкими программами. ✅ С напряжением питания всего 1.1 В, эта память не только эффективна, но и экономична. Вы сможете наслаждаться высокой производительностью без лишних затрат на электроэнергию. ⚠️ Обратите внимание, что данный модуль поставляется в комплекте с одним модулем, что делает его отличным выбором для апгрейда или замены старой памяти. Не упустите возможность улучшить свой компьютер с помощью надежной и быстрой оперативной памяти от Samsung! |
| Конструкция | |
| Охлаждение: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Цвет: | зеленый |
| Основные | |
| Набор: | 1 модуль |
| Общий объем: | 8 ГБ |
| Тип: | DDR5 SO-DIMM |
| ECC: | Нет |
| Частота: | 5600 МГц |
| PC-индекс: | PC5-38400 |
| Напряжение питания: | 1.1 В |
| Технические характеристики | |
| Количество ранков: | Да |
| Тип микросхем: | 1Gx16 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
| Профили AMD EXPO: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В