Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M323R4GA3DB0-CWM

Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M323R4GA3DB0-CWM

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

Оценка: 1 / 5

Технические характеристики

Общая информация
Описание: ✅ Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M323R4GA3DB0-CWM обеспечит высокую производительность вашего компьютера. ✅ С частотой 5600 МГц и объемом 32 ГБ, эта память идеально подходит для игр, рендеринга видео и других тяжелых задач. ✅ Низкое напряжение питания (1.1 В) помогает снизить энергопотребление и сохранить процессор и другие компоненты. ⚠️ С поддержкой только двух ранков, убедитесь, что ваша материнская плата совместима с этим модулем. ✅ Благодаря отсутствию охлаждения и низкопрофильному дизайну, этот модуль подойдет для большинства системных конфигураций.
Конструкция
Цвет: зеленый
Подсветка элементов платы: Нет
Низкопрофильный модуль: Нет
Охлаждение: Нет
Основные
Набор: 1 модуль
Напряжение питания: 1.1 В
CAS Latency: 40T
PC-индекс: PC5-44800
Частота: 5600 МГц
ECC: Нет
Тип: DDR5 DIMM
Общий объем: 32 ГБ
Технические характеристики
Количество ранков: 2
Ёмкость микросхем: 16 Гбит
Тип микросхем: 2Gx8
Профили Intel XMP: Нет
Профили AMD EXPO: Нет

Похожие товары

Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В