Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320F02
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 SP008GLSTU160N02
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (1)
Технические характеристики
| Конструкция | |
|---|---|
| Цвет: | зеленый |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Охлаждение: | Нет |
| Основные | |
| Общий объем: | 8 ГБ |
| Напряжение питания: | 1.35 В |
| CAS Latency: | 11T |
| PC-индекс: | PC3-12800 |
| Частота: | 1600 МГц |
| ECC: | Нет |
| Тип: | DDR3 SO-DIMM |
| Набор: | 1 модуль |
| Технические характеристики | |
| Расположение чипов: | двустороннее |
| Число микросхем: | 16 |
| Ёмкость микросхем: | 512 Мбит |
| Профили Intel XMP: | Нет |
| Профили AMD EXPO: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 2666 МГц SP016GBLFU266X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В