Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]

Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

Оценка: 5 / 5

Технические характеристики

Основные
Набор: 1 модуль
Общий объем: 8 ГБ
Тип: DDR4 DIMM
ECC: Нет
Частота: 2400 МГц
PC-индекс: PC4-19200
CAS Latency: 17T
Напряжение питания: 1.2 В
Технические характеристики
Число микросхем: 8
Ёмкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8

Похожие товары

Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320F02
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320F02 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266X02
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266X02 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 2666 МГц SP016GBLFU266X02
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 2666 МГц SP016GBLFU266X02 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266B02
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266B02 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В