Оперативная память QUMO 8GB DDR3 PC3-12800 (QUM3U-8G1600C11)
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600K11L
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (2)
Технические характеристики
| Конструкция | |
|---|---|
| Охлаждение: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Основные | |
| Набор: | 1 модуль |
| Общий объем: | 4 ГБ |
| Тип: | DDR3 DIMM |
| ECC: | Нет |
| Частота: | 1600 МГц |
| PC-индекс: | PC3-12800 |
| CAS Latency: | 11T |
| Напряжение питания: | 1.35 В |
| Технические характеристики | |
| Расположение чипов: | двустороннее |
| Количество ранков: | 2 |
| Число микросхем: | 16 |
| Ёмкость микросхем: | 2 Гбит |
| Тип микросхем: | 256Mx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память QUMO QUM4S-16G3200P22
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память QUMO QUM4S-16G3200N22
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 QUM4S-8G2666P19
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память QUMO QUM4U-32G3200N22
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В