Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-17000 [H5AN8G8NMFR-TFC]

Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-17000 [H5AN8G8NMFR-TFC]

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

Оценка: 5 / 5

Технические характеристики

Конструкция
Цвет: зеленый
Подсветка элементов платы: Нет
Низкопрофильный модуль: Нет
Охлаждение: Нет
Основные
Общий объем: 8 ГБ
Напряжение питания: 1.2 В
Тайминги: 15-15-15
CAS Latency: 15T
PC-индекс: PC4-17000
Частота: 2133 МГц
Тип: DDR4 DIMM
Набор: 1 модуль
Технические характеристики
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем: 16
Ёмкость микросхем: 8 Гбит
Тип микросхем: 1Gx8
Профили Intel XMP: Нет

Похожие товары

Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 1 Гб (HYMP112U64CP8-S6)
Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 1 Гб (HYMP112U64CP8-S6) 1 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UH]
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UH] 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 2 Гб (HYMP125U64CP8-S6)
Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 2 Гб (HYMP125U64CP8-S6) 2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 HMT451S6BFR8A-PB
Оперативная память Hynix 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 HMT451S6BFR8A-PB 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 HMA81GS6JJR8N-VK
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 HMA81GS6JJR8N-VK 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В